投资要点

电镀液及配套试剂：28nm 及5nm-14nm 先进制程核心材料量产供应。公司在半导体电镀液及配套试剂领域成果显著，28nm 及5nm-14nm 先进制程核心材料已实现稳定量产供应，凭借优异性能获得全球头部晶圆厂的一致认可。其中，28nm 工艺节点大马士革铜互连工艺镀铜添加剂是专为晶圆内部金属互连设计的高性能材料，能满足该节点对金属互连的高精度、高稳定性要求，且以高纯度控杂制质减干少扰，确保半导体器件性能与可靠性，目前已获得头部客户持续稳定的量产订单。面向5nm-14nm 先进制程的超高纯硫酸钴基液，是芯片钴互连结构的关键材料，直接影响先进芯片的性能、良率与可靠性，公司通过优化合成工艺突破技术瓶颈，将产品金属杂质浓度精准控制在ppb 级别，颗粒度分布、pH 稳定性等关键指标均达到国际先进水平，成功支撑最前沿的芯片制造需求，现已斩获主流晶圆厂首个国产化量产订单。

光刻胶及配套试剂：覆盖晶圆制造、先进封装及半导体显示等领域。公司构建了从原材料结构设计、树脂合成纯化到光刻胶配方开发、工艺验证的完整研发与供应链条，关键原材料自主可控，保障供应链稳定。凭借全链条技术能力，公司产品顺利通过头部客户的严苛认证并稳定批量供货，供货周期较进口产品更具优势，客户粘性强劲，其中先进封装用光刻胶作为国产唯一供应商，成功填补国内空白。目前公司多型号高端光刻胶推进有序，OLED 高感度PFAS Free 正胶与玻璃基封装用RDL 负胶等已进入量产阶段，负性PSPI、低温固化负性PSPI 等处于客户验证阶段，高厚膜KrF 光刻胶处于重点研发阶段。该款KrF 光刻胶通过优化树脂与PAG 成分提升分辨率及深宽比，具备更强刻蚀抵抗力以保障图形精准转移，可形成稳定离子注入掩膜防止离子穿透，当前已实现AR（深宽比）>13，主要应用于CIS isolation 及存储芯片的高深宽比结构，下一步将在头部晶圆厂启动上线测试。

“电镀+光刻”双工艺协同，先进存储技术交流与产品验证持续推进。公司在存储芯片领域的产品布局以电镀液与光刻胶为核心，覆盖关键工艺环节：电镀液产品包括28nm 大马士革镀铜添加剂、TSV（硅通孔）高速镀铜添加剂，光刻胶产品涵盖负性光刻胶及PSPI 光刻胶等产品。存储芯片领域的电镀液和光刻胶需求量随着HBM、3D NAND 等存储技术迭代与产能扩张持续攀升。公司相关产品成熟，产品已适配国产存储芯片制造全流程，在目前国产化加速背景下，公司持续推进在国内头部存储客户的技术交流与产品验证，预计验证测试周期相对较短。存储芯片产能扩张或将拉动材料需求量，尤其在HBM、3D NAND 等先进存储技术领域，公司凭借　　“电镀+光刻”双工艺协同，有望持续受益于国产替代趋势。

投资建议

我们预计公司2025/2026/2027 年分别实现收入6/7.9/10.3 亿元，归母净利润0.50/0.79/1.19 亿元，维持“买入”评级。

风险提示：

市场竞争风险，自研光刻胶产品产业化风险，毛利率下降的风险，原材料价格波动的风险，半导体行业周期变化风险，细分行业市场规模较小的风险。