深圳市龙图光罩股份有限公司
投资者关系活动记录表
证券简称:龙图光罩证券代码:688721编号:2026-001
□特定对象调研□分析师会议
投资者关系活动□媒体采访□业绩说明会
类别□新闻发布会□路演活动
□现场参观□其他(请文字说明其他活动内容)
方正证券、长城证券、华泰资管、中原证券、创世资本、参与单位名称
蓝海基金、聚众鑫创投、沐德资产、必达资本、初华资及人员姓名
本、亚威投资、杉树资产、敦汇资本
时间2026年1月27日星期二上午10:00
地点深圳市龙图光罩股份有限公司会议室(四)
上市公司接待人员1、证券事务代表:李建东
姓名2、证券法务专员:丁子善
一、公司基本情况
深圳市龙图光罩股份有限公司成立于2010年,是投资者关系活动主要具备关键技术攻关能力,拥有自主知识产权的独立第三内容介绍方半导体掩模板厂商,主营业务为半导体掩模板的研发、生产和销售。
自2024年8月公司完成科创板挂牌上市以来,公司不断增加投入进行技术攻关和产品迭代,半导体掩模板工艺能力从 130nm逐步提升至 65nm,并已完成 40nm工艺节点的生产设备布局,产品广泛应用于信号链及电源管理 IC等成熟制程,以及功率器件、MEMS传感器、先进封装等特色工艺制程。公司于2022年8月设立珠海市龙图光罩科技有限公司,紧随国家半导体行业发展战略,围绕高端半导体芯片掩模版领域持续加大研发投入,逐步实现高端制程的国产化配套,成为国内一流、国际领先的半导体光罩标杆企业。
二、投资者互动交流
1、公司珠海募投工厂当前产能释放进度、核心产
品进展及后续规划如何?
回复:公司珠海高端半导体芯片掩模版制造基地于
2025年上半年顺利投产,目前处于产能爬坡关键期。
核心产品方面,KrF-PSM和 ArF-PSM陆续送往部分客
1户进行测试验证,其中 90nm节点产品已成功完成从研
发到量产的跨越,65nm产品已开始送样验证,已完成40nm生产设备布局。后续将加速珠海工厂产能释放,
重点提升高端产品供给能力,匹配下游国产替代需求。
2、珠海工厂二期工程进展及是否存在融资规划?
回复:珠海二期工程按计划顺利推进,主体厂房已于2025年9月完成封顶,该项目是公司突破高端制程、扩大产能的战略性布局,将补充高端制程及新兴应用领域产能。目前公司资产负债率处于较低水平,未来将考虑通过债权、股权融资等方式筹集项目资金,具体方案将结合资本市场环境、监管政策及公司财务状况审慎决策,严格履行信息披露义务。
3、公司产品认证流程及周期,不同制程认证难度
差异如何?
回复:认证流程主要包括签订 NDA协议、信息安
全体系评估、制版能力及精度指标考察、工艺与测量方
式匹配验证、数据处理确认、样品评估及流片测试等环节。整体认证周期通常6-12个月甚至更长,制程等级越高,认证越严格、周期越长。目前公司 90nm产品已成功完成从研发到量产的跨越,65nm产品处于客户验证阶段。
4、目前国内的石英基板不能满足高端光罩的生产
吗?
回复:目前国内高纯石英基板在满足高端光罩要求上,主要指标差距体现在材料纯度、缺陷密度、表面平坦度及热膨胀系数稳定性等方面,这些直接影响光罩的精度与良率,差距根源在于高纯度合成与超精密加工等核心技术积累。我们乐见并支持国内高端基板技术的突破,在相关产品能够持续满足工艺稳定性与良率要求的前提下,公司将积极稳妥地推进合格国产基板的验证与导入工作。
5、产品毛利率水平及变动原因,未来毛利率走势
如何?
回复:公司2025年上半年毛利率有所下降,系
130nm及以上制程的光罩产品竞争加剧,公司采取阶段
性降价策略所致。未来随着珠海工厂高端产品验证通过及量产,高端产品占比提升将带动毛利率修复,同时规模效应也将进一步优化成本结构。
6、目前中日关系是否对于公司进口原材料如石英
2基板等产生影响呢?
回复:关于中日关系对原材料进口的影响,公司目前生产经营活动正常,在现有产品所涵盖的制程节点范围内,相关原材料的采购与进口暂未受到进出口管制的实质性限制。公司深知供应链安全的重要性,并已采取积极措施应对,包括建立国产供应商验证体系,在石英基板等关键材料上推动国产替代,以优化供应链结构,降低潜在风险。
7、公司目前在半导体掩模版行业的竞争格局中处
于什么位置?与海外头部厂商相比,核心优势和差距分别在哪里?
回复:全球半导体掩模版市场中,日本凸版、美国Photronics、日本 DNP三家,合计占据超过 80%以上的份额。公司作为国内独立第三方厂商,聚焦半导体掩模版领域,目前主力产品覆盖 130nm及以上制程,核心应用于功率半导体、模拟 IC 领域,主要优势在于响应速度快、服务能力强;差距主要体现在先进制程(28nm及以下)研发与量产能力,以及全球客户资源布局上,海外头部厂商已实现 EUV掩模版量产,技术水平上仍存在一定的差距。
8、珠海工厂计划生产 PSM掩模产品,这个和普
通的二元掩模有什么区别?
回复:PSM(相移掩模版)与普通 BIM(二元掩模版)的核心区别在于其提升光刻分辨率的技术原理。
BIM 仅通过透光(亮区)与不透光(暗区)的二元结构
来转移图形,其物理极限在相对高端的制程中会导致图形边缘光学干扰,影响精度。而 PSM通过在相邻透光区域引入180度的相位差,利用光的干涉效应使中间暗区的光强抵消得更彻底,从而显著提升成像的对比度和分辨率,尤其适用于线宽更小、密度更高的高端芯片制造。因此,PSM是支撑 90nm及以下更先进制程的关键技术,其设计和制造复杂度远高于 BIM。公司在此领域已具备成熟的技术积累和量产能力,能够满足客户对高端节点的需求。
附件清单(如有)无日期2026年1月27日星期二
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