事件描述

公司发布高像素CIS 出货自愿性公告。截至2026 年7 月24 日，公司50M像素CIS 累计出货超1.2 亿颗，其中，0.64μm 规格产品基于自研GalaxyCell2.0 平台，采用FPPI 技术的单芯架构，已通过国际品牌高端产品认证，并获得5700 万元首批订单。

事件点评

公司主营CMOS 图像传感器和显示驱动芯片，产品广泛应用于手机、汽车电子、穿戴设备等领域。公司中低像素CIS 量产规模居全球前列，正加速向50M、2 亿像素、车载CIS 等高端领域延伸，客户覆盖国内外知名手机、汽车及安防厂商。2025 年公司实现营收77.82 亿元，同比增长21.91%，受晶圆厂折旧及汇兑损益影响，归母净利润下滑至0.51 亿元。

单芯片集成技术具备成本竞争优势。公司50M 产品基于单芯片高像素CIS 架构依托FPPI 技术与创新电路设计，成功实现逻辑层与感光层的同层制造。在芯片面积仅增加8%-12%的前提下，有效消除了逻辑层发热导致的像素热噪声，显著提升了晶圆利用率。在当前存储芯片涨价对终端产品利润形成挤占的市场环境下，具备较强的成本竞争优势。

高像素产品放量带动业务升级。公司高像素产品切入多家手机品牌厂商中，2026 年随着高毛利产品出货增加，盈利修复趋势显现。26Q1 实现营收18.81 亿元（同比+23.40%），归母净利润达141 万元（扭亏为盈）。由于高像素产品毛利率显著高于中低端产品，随着公司50M 产品持续放量以及200M新产品的研发推进，高附加值产品占比将不断提升，公司业绩有望迎来实质性拐点。

代工涨价周期下公司自有fab 具备护城河。公司采用Fab-Lite 生产模式，在晶圆产能紧张，代工涨价周期中自有Fab 产能兼具成本对冲、涨价利润弹性及供应链安全三重优势，随着公司临港工厂产能持续爬坡，公司业务迎来量价齐升。

持续跟踪Micro-Led 技术，有望切入光通信领域。Micro-LED 通过将LED 结构微缩至微米量级、实现单器件独立电致发光，相比激光器方案功耗更低、阵列密度更高，是CPO 高速光互连的远期技术路径。与之配套的接收端正从离散PD 阵列集成为高灵敏度CMOS 探测器阵列，其晶圆及封装工艺与CIS 高度重合。公司利用自有工厂跟踪Micro-LED 商业化场景，有望切入光通信领域打造第二成长曲线。

投资建议

公司是国际cis 中少有的Fab-Lite 公司，具备全产业链布局优势，高端产品逐步放量，长期来看，三星索尼等高端cis 在pixel、logic、dram三层堆叠和3D 键合封测工艺均有完整布局，随着ai 特色成熟制程产能趋于紧张，我们认为公司Fab-Lite 优势将更加凸显，同时积极跟踪Micro-LED 技术，有望切入光通信领域，预计公司2026-2028 年EPS 分别为0.06\0.24\0.47，对应公司7 月28 日收盘价15.44 元，2026-2028 年PE 分别为271.6\69.3\35.2，首次覆盖给予“买入-B”评级。

风险提示

1）汇兑风险。公司海外营收占比较高，如果套保不足，利润受汇率影响明显。2）终端需求不及预期风险。高像素出货与海外订单受终端需求及验证节奏扰动，存在较大不确定性。3）产能爬坡不及预期。公司新产线建设及爬坡依赖海外设备供应，在当前设备产能供给偏紧的情况下具备较大不确定性。4）在建转固及折旧风险。公司产能建设与产能爬坡带来的固定资产折旧短期压制盈利释放。