上证报中国证券网讯近期，苏州华太电子技术股份有限公司(以下简称“华太电子”)科创板IPO首轮审核问询函回复在上交所网站披露。

据披露，华太电子在大功率射频功放芯片等领域，已实现底层核心技术自主可控能力、产业链协同布局。此次冲刺科创板，华太电子拟公开发行不低于4274.85万股，预计募集资金27.8亿元，投向五大项目：超大功率LDMOS及射频大功率氮化镓功放器件与高集成射频模组、全系列射频大功率封测平台、高性能功率芯片及配套方案、研发中心建设及补充流动资金。公司表示，本次募集资金投资项目均围绕公司主营业务展开，符合公司主营业务发展方向，有望进一步助推主营业务成长。

据介绍，华太电子是国内最早研发民用LDMOS大功率射频功放芯片的企业之一。公司从底层制造工艺起步，基于国内晶圆代工厂工艺从零到一研发出大功率硅基RF LDMOS半导体工艺。根据首轮问询反馈，华太电子在半导体装备射频电源、移动无线电等细分领域的射频功放芯片市占率均居境内企业第一，在LDMOS技术路径下的通信基站领域市占率同样位列境内企业第一;其用于射频功放芯片的多层热沉材料(用于芯片高效散热的关键材料)市场份额位居全球前三、国内第一。华太电子自主研发的3000瓦超大功率LDMOS射频功放芯片，是目前全球唯一能够量产的连续波下最大射频输出功率达3000瓦的射频功放芯片，基于该技术的系列芯片已得到国内客户C、恒运昌、神州半导体等头部公司批量使用，也被国际龙头公司通快霍廷格采用，是我国半导体装备射频电源领域实现自主可控、性能赶超海外产品的关键核心芯片。

华太电子采用虚拟IDM与Fabless相结合的模式，积极布局芯片设计、工艺平台、大功率封装测试与高端散热材料，构建起“设计、制造、封测、材料”全链条协同的平台型能力。这一模式使公司区别于单纯的设计企业，能够把控从研发到量产的多个关键环节。

近年来，公司攻克并规模化应用新一代射频大功率空腔封装技术，建成空腔封测基地，已面向客户A、中兴通讯等外部客户提供专业封测服务，在大功率射频封测领域市场份额位居全球前列;自研的金刚石铜热沉、氮化硅陶瓷基板等高端散热材料同样达到国际一线水平。

在射频主业之外，公司横向拓展至功率半导体。公司创新推出的RugSiC碳化硅功率器件采用无栅氧P-Gate结构，规避了传统碳化硅器件栅氧可靠性难题，可广泛用于服务器电源、光伏储能等场景。

在研发投入方面，招股书显示，报告期内公司累计研发投入达9.73亿元、占累计营业收入38%。截至2025年末，公司拥有研发人员293人(占员工总数36.76%)，应用于主营且可产业化发明专利121项;公司先后荣获国家级专精特新“重点小巨人”、国家高新技术企业等称号。

在夯实本土供应链的同时，公司正稳步走向全球市场。公司客户覆盖中兴通讯、爱立信、三星等国际知名企业，并先后设立荷兰华太(欧洲销售和技术服务中心)、新加坡华太(海外销售和运营中心)两家境外子公司。在移动无线电(对讲机)领域，公司已成为全球射频功放芯片主要供应商之一。