中信证券股份有限公司

关于重庆臻宝科技股份有限公司

2026年半年度持续督导跟踪报告

中信证券股份有限公司（以下简称“中信证券”或“保荐人”）作为重庆臻

宝科技股份有限公司（以下简称“臻宝科技”或“公司”或“上市公司”）首次公开发行股票并在科创板上市的保荐人。根据《证券发行上市保荐业务管理办法》、《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关规定，自臻宝科技发行上市之日（2026年6月24日）起，中信证券履行持续督导职责，并出具本持续督导半年度跟踪报告。

一、持续督导工作概述

1、保荐人制定了持续督导工作制度，制定了相应的工作计划，明确了现场

检查的工作要求。

2、保荐人已与公司签订保荐协议，该协议已明确了双方在持续督导期间的

权利义务，并报上海证券交易所备案。

3、本持续督导期间，保荐人通过与公司的日常沟通、现场回访等方式开展持续督导工作。

4、本持续督导期间，保荐人根据相关法规和规范性文件的要求履行持续督导职责，具体内容包括：

（1）查阅公司章程、三会议事规则等公司治理制度、三会会议材料；

（2）查阅公司财务管理、会计核算和内部审计等内部控制制度；

（3）查阅公司与控股股东、实际控制人及其关联方的资金往来明细及相关

内部审议文件、信息披露文件；

（4）查阅公司募集资金管理相关制度、募集资金使用信息披露文件和决策

程序文件、募集资金专户银行对账单、募集资金使用明细账；

1（5）对公司高级管理人员进行访谈；

（6）对公司及其控股股东、实际控制人、董事、监事、高级管理人员进行公开信息查询；

（7）查询公司公告的各项承诺并核查承诺履行情况；

（8）通过公开网络检索、舆情监控等方式关注与发行人相关的媒体报道情况。

二、保荐人和保荐代表人发现的问题及整改情况

基于前述保荐人开展的持续督导工作，本持续督导期间，保荐人和保荐代表人未发现公司存在重大问题。

三、重大风险事项

本持续督导期间，公司主要的风险事项如下：

（一）下游行业周期性波动风险

半导体、显示面板行业具备较强周期性特征，下游晶圆制造、面板厂商资本开支计划受宏观经济环境、终端消费需求、行业景气度、国际贸易政策及全球技

术管制等多重因素影响。若下游市场需求走弱，客户缩减资本开支、产线稼动率下降，延缓设备采购及耗材更新节奏，将导致公司真空腔体零部件、表面处理服务需求下降。同时半导体先进制程持续迭代，对零部件纯度、加工精度、防护涂层性能要求持续升级，若未来行业出现重大技术路线变更，而公司未能及时跟进技术升级，现有产品与工艺存在被替代的风险，对公司经营业绩产生不利影响。

（二）半导体行业被美国等发达国家进一步制裁的风险近年来，随着美国芯片法案等贸易限制政策不断加码，地缘政治不确定性持续加剧，全球半导体供应链不稳定性显著提升，集成电路行业已逐步成为中美技术竞争的焦点。公司主要从事设备零部件制造及表面处理服务，主要客户为国内集成电路制造企业。如果未来相关国家和地区出于贸易保护、地缘政治等原因，采取限制国内晶圆厂购买先进半导体设备、停止关键设备维修保养服务或者停供

需定期更换的“卡脖子”设备零部件等措施，国内先进制程芯片的稳定生产、工艺

2升级及产能扩张将受到影响。公司半导体行业主要客户是国内先进制程集成电路

制造企业，则公司也可能面临下游终端订单需求下降等风险，从而对公司经营发展产生一定的不利影响。

（三）客户集中及客户认证相关风险

公司产品主要供给国内头部晶圆制造企业、显示面板厂商，客户集中度相对较高。若主要客户调整采购策略、引入竞品供应商、下调采购价格或减少采购规模，将会对公司营收及盈利水平造成冲击。半导体设备零部件准入流程严苛，新产品工艺验证周期较长，若公司新品研发成果无法持续通过下游客户工艺验证，或是难以同步匹配客户新工艺迭代需求，将限制新产品规模化落地，存在丢失市场份额的风险。若下游核心客户自身经营状况、扩产规划发生重大调整，也将直接影响公司订单规模。

（四）技术研发及核心人才流失风险

公司核心竞争力依托持续自主研发创新，需长期在半导体原材料制备、硬脆材料超精密加工、高致密防护涂层等方向持续投入研发。前沿技术研发存在不确定性，相关研发项目可能出现技术攻关受阻、产业化进度不及预期等情形；即便研发取得突破，新产品亦可能面临客户端验证周期长、商业化落地缓慢的问题。

同时，国内半导体高端技术人才竞争日趋激烈，若公司无法持续完善人才激励体系，存在核心技术人员流失、关键工艺经验外泄的风险，进而延缓研发进程，削弱公司长期技术壁垒。

（五）产能扩张带来的盈利承压风险

本次公开发行募集资金将用于生产基地扩建、研发中心建设，未来公司固定资产规模持续增加，每年折旧、摊销费用相应上升。募投项目产能释放需要一定建设、调试周期，如果下游市场需求扩张速度不及预期，新增产能利用率偏低，单位产品分摊的固定成本将有所抬升，对产品毛利率形成压力。叠加持续研发投入带来的刚性费用增长，若产能规模效应无法充分释放，公司存在盈利水平承压的风险。此外，公司部分辅助原材料、陶瓷原粉等仍需外部采购，上游原材料价格大幅波动、供应紧张亦会对生产成本与交付保障造成不利影响。

3（六）上市公司治理与内控管理风险

公司于2026年6月登陆科创板，上市后业务规模持续扩张，组织架构、投融资运作、信息披露、供应链管理、合规管控复杂度显著提升。若公司治理机制、内部控制体系、管理制度未能随着业务发展持续迭代优化，人才储备、管理能力无法匹配上市公司规范化运营要求，可能出现内控执行不到位、运营管理效率不足等问题。随着后续资本运作、业务拓展持续推进，若无法持续维持稳定高效的治理架构，将制约公司长期稳健发展。

四、重大违规事项

基于前述保荐人开展的持续督导工作，本持续督导期间，保荐人未发现公司存在重大违规事项。

五、主要财务指标的变动原因及合理性

2026年半年度，公司主要财务数据及指标如下所示：

单位：万元

主要会计数据2026年1-6月2025年1-6月本期比上年同期增减（%）

营业收入48352.8536637.0931.98归属于上市公司股东的

10711.438518.4725.74

净利润归属于上市公司股东的

扣除非经常性损益的净10171.448543.3819.06利润经营活动产生的现金流

13698.077094.0593.09

量净额

主要会计数据2026年6月末2025年末本期末比上年度期末增减（%）归属于上市公司股东的

292642.40121026.94141.80

净资产

总资产334404.86161867.62106.59

主要财务指标2026年1-6月2025年1-6月本期比上年同期增减（%）

基本每股收益（元／股）0.920.7326.03

稀释每股收益（元／股）0.920.7326.03扣除非经常性损益后的

0.870.7319.18

基本每股收益（元／股）加权平均净资产收益率

8.468.37增加0.09个百分点

（%）

4扣除非经常性损益后的

加权平均净资产收益率8.048.40减少0.36个百分点

（%）研发投入占营业收入的

9.047.23增加1.81个百分点比例（%）

2026年1-6月，公司营业收入较上年同期增长31.98%，主要受益于行业景

气度上行，下游客户扩产带动采购需求提升，零部件产品销售收入实现增长。

2026年1-6月，经营活动产生的现金流量净额较上年同期增长93.09%，主

要源于销售收入规模增长，本期销售商品、提供劳务收到的款项较上年同期增加

1.51亿元；同时受固定资产采购对应的进项税额增加影响，本期缴纳的各项税费

较上年同期减少0.14亿元。

2026年1-6月，公司研发投入占营业收入的比重较上年同期有所提升，主要

系公司多个研发项目进入关键攻关阶段，研发人员薪酬、材料等相关投入相应增加。

2026年6月末，归属于上市公司股东的净资产、总资产较上年度末大幅增长，主要系公司于2026年6月完成首次公开发行股票并在科创板挂牌上市，募集资金到位，货币资金与股本、资本公积同步增加，带来公司总资产及归属于上市公司股东的净资产规模大幅提升。

六、核心竞争力的变化情况

（一）公司的核心竞争力

1、全链条技术优势，跨半导体、显示面板双赛道实现多项产品自主可控

公司是国内少数同时掌握大直径单晶硅棒、多晶硅棒、CVD-SiC 等上游半

导体关键材料制备技术，以及硅、石英、陶瓷等硬脆材料超精密加工及多元表面处理技术的企业。

在半导体设备零部件领域，公司攻克微深孔加工、复杂曲面成型等多项工艺难题，实现碱性刻蚀曲面硅上部电极、高致密陶瓷零部件等产品国产化突破；持续加大碳化硅精密零部件、静电卡盘、高致密防护涂层等前沿技术研发投入。相关产品已批量应用于 14nm 及以下先进逻辑芯片、堆叠层数 200 层以上 3D NAND

5闪存、20nm 及以下 DRAM 先进存储芯片制造产线。

在显示面板设备零部件领域，公司突破熔射再生核心工艺，实现 AMOLEDPVD 双极静电卡盘自主可控。通过自主设计电极结构、自研涂层粉体配方、优化喷涂工艺，实现涂层性能显著提升：氧化铝涂层孔隙率低于3%、耐等离子腐蚀质量损失小于 8×10??mg/s，氧化钇涂层孔隙率低于 1%；完成 4.5KV 高压静电卡盘技术突破。相关零部件与表面处理方案已配套 G10.5-G11 超大世代 LCD、

6G AMOLED 产线刻蚀、薄膜沉积、蒸镀设备。现阶段公司持续推进高致密涂层、静电卡盘、氮化铝陶瓷加热器的研发与产能建设，相关技术已取得阶段性产业化成果。

2、一体化平台优势，具备多品类、全业务综合供应能力

公司构建原材料自研自产+精密零部件制造+表面处理再生服务完整业务平台，能够为真空腔体提供多元化零部件配套，形成区别于单一工序、单一品类零部件厂商的独特优势。

原材料端，公司自主量产大直径单晶硅棒、多晶硅棒、CVD 碳化硅基材、氧化铝陶瓷造粒粉、氧化钇陶瓷造粒粉等关键原料，保障上游供给安全，同时满足差异化原材料性能需求。

零部件端，可规模化供应硅基、石英、碳化硅、陶瓷多系列腔体零部件。下游客户可实现多品类零部件集中采购，减少多供应商重复认证成本，降低不同厂商零部件之间的适配磨合风险，便于统一质量管控与问题追溯，有效压降客户综合采购成本与供应链风险。

表面处理端，公司具备精密清洗、阳极氧化、等离子熔射再生等成熟工艺，同时实现高致密涂层技术产业化，可根据不同制程工况定制防护方案，提升零部件在先进制程极端等离子环境下的使用寿命，已成功拓展多家国内头部晶圆制造企业表面处理业务。

一体化协同模式有效保障产品一致性、供应链稳定性，持续提升客户采购与运维效率。

63、优质客户资源优势，国内外头部厂商广泛覆盖，先进工艺持续渗透

半导体领域，公司产品与服务批量供货国内主流存储厂商、晶合集成、华润微电子、芯联集成、武汉新芯、积塔半导体、粤芯半导体等国内主流晶圆制造企业，产品深度配套 14nm 及以下逻辑先进制程、200 层以上 3D NAND、20nm 及以下 DRAM 先进存储产线。同时实现海力士（大连）、格罗方德、联华电子、德州仪器等国际制造厂商产品认证及批量供货。

显示面板领域，公司服务京东方、TCL 华星、天马微电子、惠科股份、彩虹光电等头部面板企业，产品覆盖 G8.5–G11 高世代 LCD、6G AMOLED 高端产线；实现 G10.5-G11 超大世代、4.5KV–5KV 超高压工艺、OLED 产线静电卡

盘、PVD 双极静电卡盘等关键零部件自主配套。

报告期内，公司与核心客户合作保持稳定，供应品类持续拓宽，订单规模稳步增长。

4、深度协同开发优势，前置参与客户工艺迭代，支撑产线持续改进

依托多元化零部件产品矩阵与整体解决方案能力，公司与国内主流晶圆厂、面板厂商建立长期战略合作，并配置专属技术服务团队跟进客户需求，深度理解客户工艺路线、设备配置、技术迭代目标。

报告期内，公司主动承接客户重点工艺攻关项目，联合开发超厚曲面硅上部电极、氧化钇陶瓷部件、碳化硅零部件等定制化产品，助力刻蚀、薄膜沉积设备关键零部件国产化，筑牢客户供应链安全底线。叠加上游自研半导体材料能力，可灵活匹配客户对基材尺寸、电阻率等特殊指标要求，进一步强化定制化研发与快速交付能力，持续夯实协同开发壁垒。

5、资深研发团队优势，持续保障创新投入

截至2026年6月30日，公司拥有研发人员145名，拥有已授权发明专利

64项，在申请发明专利65项。报告期内，公司研发费用4373.03万元，同比增

长65.05%，研发费用率9.04%。

公司通过内部培养、外部引才搭建核心研发队伍，核心成员均为行业资深专

7家，具备扎实理论功底与丰富产业化经验，先后牵头完成半导体硬脆材料加工、高纯陶瓷制备、等离子防护涂层、零部件表面处理等多项核心工艺研发，为公司持续技术创新、新产品落地提供坚实人才支撑。

（二）核心竞争力变化情况

本持续督导期间，保荐人通过查阅同行业上市公司及市场信息，查阅公司招股说明书、定期报告及其他信息披露文件，对公司高级管理人员进行访谈等，未发现公司的核心竞争力发生重大不利变化。

七、研发支出变化及研发进展

（一）研发支出变化

单位：万元

项目2026年1-6月2025年1-6月变化幅度（%）

费用化研发投入4373.032649.5465.05

资本化研发投入---

研发投入合计4373.032649.5465.05

研发投入总额占营业收入比例（%）9.047.23增加1.81个百分点

研发投入资本化的比重（%）---

2026年1-6月，研发投入占营业收入的比重较上年同期有所提升，主要系公

司多个研发项目进入关键攻关阶段，研发人员薪酬、材料等相关投入相应增加。

8（二）研发进展

单位：万元预计总投本期投累计投入进展或阶技术序号项目名称拟达到目标具体应用前景资规模入金额金额段性成果水平产品用于晶圆承载与静电吸附；

自主研发适配12英寸刻蚀设备的半

静电吸盘 L1-L4 新品配套新增设备装机，再生方导体静电吸盘产品体系，突破高性能国内

1级再生技术前段2380.29581.581889.89在研案挖掘耗材全生命周期价值，满

陶瓷基材制备、电极布线、绝缘层精领先开发足国内晶圆厂供应链自主可控密加工核心工艺需求

攻克氮化铝陶瓷与金属共烧结、陶瓷

产品应用于 PVD、CVD 等薄膜

异种材料焊接、陶瓷与陶瓷同材质粘

沉积工艺腔体，为晶圆提供均匀AlN Heater 陶瓷 接关键技术，解决高导热、绝缘、耐 国 内

21408.30530.71799.96在研温控环境，适配先进制程薄膜沉

部件开发项目高温协同难题，实现12英寸薄膜沉领先积设备，填补国内高端氮化铝加积设备氮化铝加热器国产化开发与热部件配套缺口验证

搭建气溶胶沉积商用化设备平台，完涂层方案适配先进制程刻蚀腔成工艺调试与批量制备验证；开发低

体陶瓷零部件，降低腔体颗粒缺GD 商业机搭建 孔隙率、高致密、低颗粒的耐等离子 国 内

31205.00402.47512.19在研陷，提升零部件抗等离子腐蚀能

和验证氧化钇防护涂层制备工艺，对标业界领先力，面向头部晶圆厂高精密腔体领先高致密涂层技术，形成稳定量产耗材配套工艺研究静电吸盘等离子工况失效机理面向存量产线静电吸盘再生需

静电吸盘 L1-L3 与损伤演化模型，开发精密修复、性 国 内 求，降低客户耗材采购成本；广

4415.00299.59322.32在研

级再生技术开发能恢复升级工艺；掌握陶瓷基体精密领先泛配套集成电路刻蚀静电卡盘，加工、电性能复测校准核心技术，实完善公司零部件再生服务业务

9预计总投本期投累计投入进展或阶技术

序号项目名称拟达到目标具体应用前景资规模入金额金额段性成果水平现静电吸盘分级再生技术自主可控矩阵开发气溶胶沉积氧化钇涂层成套制

气溶胶沉积氧化备工艺，实现介质窗口、喷嘴等半导应用于先进节点中的干法刻蚀、国内

5钇涂层技术开发1542.00289.43356.03在研体核心零部件的涂层制备，达到高致薄膜沉积等工艺的关键核心零

领先

(GD1) 密、高耐蚀的涂层性能指标，并通过 部件先进工艺节点的供应链验证与导入

石英部件作为刻蚀、薄膜沉积腔

突破高纯石英复杂成型、微孔精密加

体核心耗材，适配逻辑芯片、存工、表面处理工艺，开发多款适配先国内

6新品石英开发1200.00218.78682.31在研储芯片成熟及先进制程产线，丰

进制程设备的新型石英腔体零部件，领先富公司石英耗材料号矩阵，巩固完成客户端工艺验证基石业务市场份额

合计/8150.592322.564562.70////

10八、新增业务进展是否与前期信息披露一致

本持续督导期间，保荐人通过查阅公司招股说明书、定期报告及其他信息披露文件，对公司高级管理人员进行访谈，基于前述核查程序，保荐人未发现公司存在新增业务。

九、募集资金的使用情况及是否合规

本持续督导期间，保荐人查阅了公司募集资金管理使用制度、募集资金专户银行对账单和募集资金使用明细账，并对大额募集资金支付进行凭证抽查，查阅募集资金使用信息披露文件和决策程序文件，实地查看募集资金投资项目现场，了解项目建设进度及资金使用进度，取得上市公司出具的募集资金使用情况报告，对公司高级管理人员进行访谈。

基于前述核查程序，保荐人认为：本持续督导期间，公司已建立募集资金管理制度并予以执行，募集资金使用已履行了必要的决策程序和信息披露程序，募集资金进度与原计划基本一致，基于前述检查未发现违规使用募集资金的情形。

十、控股股东、实际控制人、董事和高级管理人员的持股、质押、冻结及减持情况

本持续督导期间，公司控股股东、实际控制人、董事和高级管理人员的持股数量未发生变化，且不存在质押、冻结及减持情况。

十一、保荐人认为应当发表意见的其他事项

基于前述保荐人开展的持续督导工作，本持续督导期间，保荐人未发现应当发表意见的其他事项。

（以下无正文）

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