报告摘要

长鑫是国内最大、全球第四大DRAM 原厂。

长鑫科技2016 年成立，是国家级战略项目，目前已是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM 原厂，目前全球第四，全球营收份额增至7.7%。

1）产品丰富：产品包括DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5/5X 等，目前已达国际先进水平。

2）产能持续拓展：目前在合肥、北京两地共拥有3 座12 英寸DRAM 晶圆厂，预计2026 年全部达产、第四代工艺技术平台销量占比也将快速提升。另外持续建设合肥肥西测试基地新产线，新建上海DRAM 及HBM 产线。

3）客户资源优质：与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo 等国内核心终端客户深度合作。

4）国资背景深厚：目前清辉集电、长鑫集成、国家大基金二期、合肥集鑫、安徽省投分别持有长鑫22%、12%、9%、8%、8%股权。

AI 驱动DRAM 需求爆发，长鑫引领大陆自制浪潮。

1）AI 驱动需求，服务器的爆发式需求是主驱力，DRAM 中来自服务器的需求占比有望从2024 年的38%提升至2026 年的50%~60%。AI 推理驱动存储需求指数级爆发，AI 推理大幅提升Token 消耗量，使KV Cache 多层缓存（HBM+DRAM+SSD）成为“标配”。

2）竞争格局：2026Q1 三星、海力士和美光三大原厂合计营收份额90%，海外寡头常年高度垄断，主要系DRAM 的技术壁垒、资金壁垒极高，DRAM 制造工艺复杂、制程微缩难度大，因此研发投入大、制造成本高。

3）长鑫引领国产化：中国DRAM 市场需求规模预计约占全球的34%，根据长鑫营收份额计算，26Q1 国产化率约23%。据Trendforce，2026Q1 长鑫份额营收提升至7.7%，三大原厂营收份额90%，未来DRAM 市场国产替代空间广阔，长鑫引领浪潮。

DRAM 价格持续暴涨，长鑫26 年盈利爆发。

1）26 年存储涨价大周期延续：本轮存储涨价大周期于25Q2 开始，25Q4、26Q1 涨价幅度持续超预期，预计26 年DRAM 供需仍持续紧张，价格有望继续上涨。

2）受益涨价，长鑫的单季度扭亏为盈，26H1 业绩爆发式增长：长鑫26Q1 营收508亿元，净利润330.1 亿元，归母净利润247.6 亿元，扣非263.4 亿元。预计26H1 收入1100-1200 亿元，yoy+613%~+677%；净利润为660~750 亿元，yoy+1715%~+1935%；归母净利润为500~570 亿元， yoy+2244%~+2544% ； 扣非为520~580 亿元，yoy+2279%~+2530%。

风险提示：行业需求不及预期；存储涨价不及预期；产能布局不及预期；研报使用的信息滞后；行业规模测算偏差风险。