国产DRAM一体化龙头，产能、工艺与研发实力持续迭代，业绩实现扭亏高增。长鑫科技是国内唯一、全球第四的DRAM 全链路IDM 厂商，依托合肥、北京三座12 英寸晶圆厂实现产能持续爬坡，公司采取跳代研发路线，多代工艺平台顺利量产，DDR5、LPDDR5X 已批量供货，HBM3 完成头部云厂商验证，前瞻布局高端AI 存储产品。公司研发团队规模庞大、专利储备充足，股权由国资、员工平台多元制衡，无控股股东，兼顾产业扶持与市场化管理；财务端2022 至2026H1 完成由深度亏损到大幅盈利的转变，营收、毛利率同步高速改善，295 亿元募投项目将持续推动产线技改与前沿技术研发，中长期产能与技术成长空间充足。

AI 算力重塑DRAM供需格局，行业持续高景气，为长鑫带来广阔成长红利。

AI 算力建设带来服务器DRAM 长期增量，全球DRAM 需求高增，大幅对冲手机、PC 消费端需求疲软，行业周期逻辑发生根本性变化。同时，存储厂商随下游需求动态调控产能，但晶圆厂建设及产能爬坡周期长达数年，未来几年DRAM 行业或将延续供不应求态势。全球DRAM 市场规模持续高速扩张，国内需求占比超四分之一但本土供给不足，叠加地缘摩擦下供应链自主可控需求提升，国产替代、新技术迭代两大逻辑共同打开行业长期成长天花板。

长鑫聚焦高毛利DRAM赛道，工艺技术、IDM模式、产品、客户、供应链优势构筑核心成长壁垒。公司完整覆盖DRAM 设计、制造、封测、模组全链条，DDR、LPDDR 产品性能对标海外三巨头，广泛适配服务器、移动终端、PC、智能汽车多类下游；相较三星、美光等同业同时布局NAND、面板等低毛利业务，公司聚焦高毛利DRAM 赛道，盈利弹性更显著。随着国内云厂商、消费电子品牌持续导入国产存储，客户规模稳步扩张，同时公司积极推进供应链的多元化、本土化，增强供应链的安全保障能力，降低国际贸易摩擦带来的供应链风险，叠加多厂区产能有序释放、高端产品占比持续提升，中长期业绩增长具备坚实支撑。

盈利预测与投资建议：综合来看，长鑫科技深度受益AI 算力长期增量、DRAM 行业超级上行周期、国内存储国产替代三大核心红利，公司产能持续释放、募投项目助力工艺与高端产品迭代，DDR、LPDDR 双产品线量价共振驱动营收与毛利率同步上行，叠加HBM 前瞻布局打开远期成长天花板。我们预计公司2026/2027/2028 年营业收入分别为2,948.74/4,533.45/6,132.44 亿元， 归母净利润分别为1473.66/2471.89/3320.86 亿元，预测期内成长动能充足，业绩具备向上弹性，首次覆盖，给予公司“增持”评级。

风险提示：主营业务收入不及预期风险；公司存在累计未弥补亏损的风险；产品及技术研发不达预期的风险；人才短缺或流失的风险；客户集中度较高的风险；国际贸易摩擦导致产业链不稳定的风险；无控股股东和实际控制人的风险；毛利率不及预期的风险；管理费用率上升的风险等。