中国大陆DRAM 全产业链IDM 厂商。长鑫科技作为中国大陆具备DRAM规模化量产能力的IDM 企业， 完成产业奠基、工艺攻坚到产能放量的完整发展历程。公司在合肥、北京布局三座12 英寸晶圆制造基地，2025 年实现经营扭亏，正式走出行业周期底部。受益于产能利用率、良率持续提升，公司营收规模快速扩张，费用端规模效应逐步显现，研发持续加码先进工艺与高端产品，是中国大陆存储芯片自主可控的核心产业载体。

AI 驱动存储超级周期，国产替代空间广阔。传统消费电子库存周期逐步弱化，AI 算力拉动服务器DRAM 需求爆发，全球存储行业开启新一轮成长属性更强的超级周期。海外原厂将先进产能向HBM 倾斜， 通用DRAM 供给被动收缩，行业供需紧平衡格局有望延续。我国是全球主要DRAM 消费市场，但本土自给率偏低，在下游服务器、手机、汽车电子产业链带动与供应链自主可控诉求下，国产DRAM 拥有广阔的替代空间。

技术产品共同升级，规模优势加速兑现。公司坚持跳代式自主研发，第四代工艺平台实现稳定量产，第五代工艺持续迭代。产品端DDR、LPDDR 矩阵不断完善，DDR5 高端服务器产品快速导入，打开第二成长曲线。伴随产线爬坡，高产能利用率持续摊薄折旧等固定成本， IDM 全链条协同的规模优势持续释放。后续随着募投产能落地、客户生态持续完善，公司市场份额与盈利水平具备进一步提升的空间。

投资建议：我们认为， 公司作为具备DRAM 规模化量产能力的IDM 企业，凭借DRAM 存储芯片领域全产业链布局与持续扩产计划， 随着AI 服务器存储需求爆发以及存储国产替代进程提速，公司有望在服务器DRAM、LPDDR产品产能规模与工艺迭代上进一步强化竞争力。基于其龙头地位及成长潜力，我们预计公司2026-2028 年归母净利润分别为2515.4/4256.6/5616.8 亿元，对应PE 为15.35/9.07/6.87 倍。首次覆盖，给予“推荐”评级。

风险提示：行业周期波动的风险， 技术迭代与研发不及预期的风险， 国际贸易与供应链的风险。