上证报中国证券网讯10月19日，长鑫科技举行2026年第二次临时股东会。针对与会股东关心的产能落地与市场供需走势等问题，长鑫科技在交流中回应称，公司目前在合肥、北京两地的晶圆厂持续保持高产能利用率运转，订单饱满，有能力通过多元化的产品矩阵和持续优化的成本结构，从容应对市场变化。

结合当前的宏观与产业环境，长鑫科技表示，公司对DRAM行业长期发展保持充足信心。AI算力需求爆发正驱动全球DRAM市场持续扩容，预计2025年至2030年行业年均复合增长率高达38.39%。面对广阔市场机遇，公司已构建强大的产品技术实力，承接市场需求。

据介绍，在技术路线上，长鑫科技坚持自主研发与“跳代研发”策略，已完成从第一代到第五代工艺技术平台的产品迭代;产品端已实现从LPDDR4X到DDR5、DDR5X，再到最新LPDDR6的全系列产品覆盖，核心技术达国际先进水平。

在谈及未来的战略布局与核心竞争力时，长鑫科技管理层重点强调，公司将深入内存制造极致微缩领域的“无人区”，以创新工艺突破固有技术瓶颈。

目前，公司已采用创新的四重自对准图形工艺，第五代技术平台制程比肩业内已量产的最先进平台，存储密度与器件性能大幅提升。核心产品LPDDR6内存芯片传输速率达12800Mbps，功耗较LPDDR5X产品下降20%，兼顾高速、低功耗与高可靠性，广泛适配智能终端、数据中心、边缘计算、智能驾驶及智能制造等AI时代核心场景。同时，公司在4F2等先进技术架构方面已取得关键进展。

长鑫科技2026年前三季度业绩预告显示，报告期内，公司预计实现营业收入2650亿元至2700亿元，同比增长超7倍;归母净利润高达1310亿至1325亿元，实现同比扭亏为盈。其亮眼的财务表现源于行业景气度上行、产能利用率保持高位以及产品结构持续优化。

在公司披露三季报业绩预告后，多家头部券商研究机构及资深半导体分析师分析称，长鑫科技凭借从先进技术到产品矩阵的全面突破，把握行业上行周期机遇，作为国内存储巨头的长期价值正迎来加速兑现期，即将披露的第三季度完整季报将成为重要看点。