天风证券发布研报称，存储超级周期的本质是从“周期”到“结构”的转变。以往芯片行业价格上涨、交期延长主要是因为供给端减产引发短期反弹，而当前由AI驱动的“超级周期”具有显著的结构性特征。AI
技术的蓬勃发展带动数据中心大容量存储需求高速增长，叠加智能手机、智能汽车等智能终端渗透率的不断提升，共同推动本轮存储器技术创新与市场扩容。
天风证券主要观点如下：
NAND 与DRAM普涨，四季度存储价格持续上行
存储芯片主要分为两大类：一类是动态随机存取存储器DRAM，它类似大脑的笔记本，容量大，可以用来临时保存和调用数据;而在DRAM
的类别里，还有一种采用特殊封装形式的高性能芯片，高带宽存储器HBM，它就像大脑的短时记忆，速度极快，专门用于AI
的训练和推理，因此也格外受到市场追捧;第二类则是NAND 闪存，它类似大脑的档案库，也就是长期记忆，负责存放海量数据和模型参数。
根据闪存市场，上月以来，在原厂控货+涨价双重驱动下，现货Flash Wafer 价格强势上涨，一个半月时间里，1Tb Flash Wafer
价格累计涨近15%，512Gb Flash Wafer 更是涨超20%。本周行业SSD 和内存条全面涨价。服务器内存条报价同样大幅上扬，具体来看，DDR4
RDIMM 16GB3200 涨 66.67% 至 $150.00。近日现货贸易端包括NAND 和DRAM
在内的所有资源价格快速上涨。在上游资源日益走高且供应收紧的影响下，相对应的产品生产成本大幅走高，服务器、手机、PC
等各应用端的存储成品全面掀起涨价潮。Trendforce 集邦咨询预估第四季度整体一般型DRAM(Conventional
DRAM)价格将季增8-13%，若加计HBM，涨幅将扩大至13-18%。预估NAND Flash 第四季各类产品合约价将全面上涨，平均涨幅达5-10%。
国际巨头转向高端产品，国产存储迎来替代窗口。目前从利基市场到主流应用，国产存储芯片获全球客户青睐。由于三星、美光、海力士等头部公司加速向新制程节点的
HBM、DDR5、LPDDR5 等产品迁移，放弃或减少利基型产品的生产，带来行业竞争格局的变化和国内厂商份额提升的机会。
随着AI 大模型训练与数据中心建设成为核心驱动力，国产存储芯片在企业级市场快速渗透
长江存储的企业级SSD 已广泛用于阿里云、腾讯云等国内主流云服务商。在消费级市场，国产存储芯片凭借性价比优势快速抢占份额。
国内厂商扩产提速，四季度需求与开工稳健复苏。四季度国内存储公司有望继续受益于 “价格回升+国产替代”
的双重驱动，该行预计第四季度国内存储芯片公司的需求、订单及开工情况将呈现稳健复苏的态势。
目前，长江存储正推进三期扩产计划：2025 年底前将月产能提升至15 万片，2026 年启动三期招投标，分三阶段扩产5-6 万片，2028
年三期达产后总产能将达30 万片/月，目标占据全球15%的NAND 市场份额。长鑫存储DRAM 产量预计达273
万片/年，成为全球第四大DRAM厂商，仅次于三星、SK 海力士、美光。其二期工厂于2025 年Q4 试生产，新增产能8 万片/月，聚焦15nm
以下先进制程;三期工厂已启动设备采购，目标2026 年扩产6-7 万片/月，设备采购需求约60 亿美元，国产化率超50%。
AI 存储革命已至，“以存代算”开启存储新纪元，带动SSD 需求增速高于传统曲线
为突破算力瓶颈与“存储墙”制约，“以存代算”作为一种颠覆性技术范式应运而生。该技术通过将AI推理过程中的矢量数据(如KVCache)从昂贵的DRAM
和HBM 显存迁移至大容量、高性价比的SSD 介质，实现存储层从内存向SSD 的战略扩展，而非简单替代。其核心价值在于显著降低首Token
时延、提升推理吞吐量，并大幅优化端到端的推理成本，为AI 大规模落地提供可行路径。
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