8月18日有投资者向中钢天源(002057)提问：领导好！中科院福建物质结构研究所团队在二维电子学高k介质领域的重要突破，成功研发出可用于下一代二维芯片的Mn₃O₄超薄单晶薄膜（性能指标中超高介电常数最高可达135，等效氧化物厚度低至0.8nm，远优于传统SiO₂介质；绝缘特性优异及极致超薄可控），突破了传统氧化铪材料在二维半导体器件中的性能天花板，为摩尔定律延续提供了全新的材料路径。贵公司已有纳米级四氧化三锰制备专利，建议和中科院对接最前沿材料

9月17日公司回答表示：感谢您的宝贵建议。公司持续关注锰基材料领域全球前沿技术进展，依托国家级企业技术中心、磁性材料及其应用技术国家地方联合工程研究中心等平台开展相关技术储备与探索。