上证报中国证券网讯11月1日，光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目(一期)在武汉开工。公司方面表示，项目将持续导入世界级先进工艺和自动化装备，全面提升高端光电子及硅光芯片器件的研发与规模制造能力。

据介绍，该项目位于东湖综保区高端光电器件产业基地，规划总建筑面积16.63万平方米，建设工期14个月，将围绕下一代可插拔光模块、CPO/NPO光引擎、全光交换等前沿方向开展攻关，打通“开发—验证—量产”全链条，达产后年产高速光模块超1000万只。

光迅科技董事长黄宣泽表示，公司将统筹做好工艺布局、设备导入、人才储备和供应链准备，力争项目早建成、早投产、早达产，为下一个五十年筑牢根基。