国产半导体设备龙头，平台化建设持续推进。北方华创半导体装备主要产品包括刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法、离子注入等核心工艺装备；2024年半导体装备业务收入为265.78 亿元，净利润为52.18 亿元。

刻蚀：公司已形成ICP、CCP、Bevel 刻蚀设备、高选择性刻蚀设备和干法去胶设备的全系列产品布局；2024 年刻蚀设备收入超80 亿元。1）导体刻蚀设备（ICP）：主要用于12 英寸逻辑、存储等领域浅沟槽隔离、栅极、侧墙、金属硬掩膜、High-K 介质、钨/钛/钽等金属及其化合物等刻蚀工艺。2）介质刻蚀设备（CCP）：覆盖AIO、Contact 等逻辑领域多个技术节点中的关键介质刻蚀制程，并可扩展到存储领域CMOS 相关制程，适用于Low-K 介质及常规介质材料的刻蚀工艺。3）高深宽比刻蚀设备（CCP）：配置超高功率射频电源，并开发低温刻蚀和多重脉冲技术，可满足3D NAND 堆叠层刻蚀等更高深宽比刻蚀的工艺要求；以96 层的3DNAND 为例，堆叠层刻蚀深宽比高达40 以上。

薄膜沉积：公司已形成PVD、CVD、ALD、EPI 和ECP 设备的全系列布局；2024 年薄膜沉积设备收入超100 亿元，其中ALD 设备实现收入近20 亿元。1）PVD：实现对逻辑和存储芯片的全覆盖；Metal Gate PVD 产品成功实现28nm 金属栅核心工艺的量产突破；Cu 互连PVD 产品支持InterMetal 和Top Metal 工艺的批量生产；Al PVD 产品大批量应用在逻辑、DRAM、3D NAND 等领域，覆盖Pad、RDL 等所有工艺应用。2）ALD：D-ALD产品可用于12 英寸存储芯片金属氧化物薄膜、金属前介质层、硬掩膜层、钝化层、金属连线介质隔离等薄膜沉积，以及先进封装Liner 层沉积；M-ALD 用于先进工艺金属栅极及刻蚀阻挡层薄膜的原子层沉积，成为国内HiK 量产生产线的主力机台；Tube ALD 主要用于12 英寸逻辑、存储芯片氮化硅、氧化硅、Low-k 介质、High-k 介质及氮化钛薄膜沉积工艺。

3）EPI：实现减压选择性外延等外延领域设备和工艺的全面覆盖，是国内扩产的首选机台。

在热处理设备领域，公司已形成立式炉和快速热处理设备（RTP）的全系列布局；2024 年热处理设备收入超20 亿元。在湿法设备领域，公司已形成单片设备和槽式设备的全面布局；2024 年公司湿法设备收入超10 亿元。2025 年3 月，公司发布首款离子注入机Sirius MC 313，正式进军离子注入设备市场，将撬动国内160 亿元的市场空间。

此外，公司协议受让先进制造持有的芯源微股份已于5 月29 日完成股份过户登记手续；本次过户完成后，公司持有芯源微1906 万股股份，占芯源微总股本的9.48%，成为芯源微控股股东。

公司通过此次收购成功进军前道涂胶显影机、临时键合及解键合机等新市场。芯源微是目前国内唯一可以提供量产型前道涂胶显影机的厂商，成功推出包括offline、I-line、KrF 及ArF 浸没式在内的多种型号产品。前道化学清洗机KS-CM300/200 适用于沉积前清洗、蚀刻后清洗、离子注入后清洗、CMP 后清洗等多种前段工艺和后段工艺清洗进程，可适配高温SPM 工艺，整体工艺覆盖率达80%以上，目前已获得国内多家大客户订单及验证性订单。全自动临时键合及解键合机可应用于InFO、CoWoS、HBM　　等2.5D、3D 技术路线产品，兼容国内外主流胶材工艺，可适配60 微米及以上超大膜厚涂胶需求，目前在手订单已近20 台。

25Q1 业绩持续高增长，盈利能力不断改善。25Q1 年公司实现收入82.06亿元，同比增长37.90%，主要系CCP、ALD、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市占率稳步提升。归母净利润15.81 亿元，同比增长38.80%，主要系营收规模持续扩大，规模效应逐渐显现，成本费用率稳定下降。毛利率43.02%，净利率19.10%，同比基本持平。半导体装备业务方面，25Q1 收入为78.59 亿元，占比为95.77%；净利润为15.79 亿元。

投资建议：北方华创是国产半导体设备龙头，内生外延持续拓宽产品矩阵，加速推进平台化建设，显著受益于国产替代浪潮和晶圆厂扩产趋势。

我们预计公司2025-2027 年营收分别为387.77/480.36/595.86 亿元，归母净利润分别为75.11/94.72/121.77 亿元。维持“强烈推荐”评级。

风险提示：新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险，市场竞争加剧风险，晶圆厂产能扩充进度不及预期的风险，系统性风险等。