存储技术演进对刻蚀及薄膜沉积设备要求提升，有望带动行业高速成长。部分投资者对存储技术演进下薄膜沉积设备环节的受益程度仍关注不足。我们认为，刻蚀及薄膜沉积设备在存储产线资本开支中的占比有望在3D 堆叠技术趋势下大幅提升。刻蚀方面，与2D NAND 时代刻蚀仅作为光刻配套工序不同，3D NAND 层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比；此外，随着堆叠层数的增加，刻蚀设备用量占比也将不断攀升。薄膜沉积方面，由于3D NAND 每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，层数增加将催生更多的薄膜沉积设备需求。除了NAND之外，DRAM未来也有望向3D堆叠方向发展，有望进一步推动刻蚀和薄膜沉积设备的需求量和性能要求。

薄膜沉积设备领域全面布局，持续突破高端产品。目前，公司已形成了物理气相沉积、化学气相沉积、外延、原子层沉积、电镀和金属有机化学气相沉积设备的全系列布局。2025 年上半年，公司薄膜沉积设备收入超65 亿元人民币。公司持续突破高端产品，于2025 年7 月正式发布SICRIUS PY302 系列12 英寸低压化学气相硅沉积立式炉设备。该设备面向高端逻辑芯片与存储芯片领域非晶硅、多晶硅薄膜沉积技术，成功攻克高深宽比结构填充、高平坦度薄膜生长和兼容低温工艺三大技术瓶颈，标志着公司在高端半导体装备领域持续取得关键技术突破。

刻蚀设备布局完善，CCP 设备优势显著。在刻蚀设备领域，公司已形成了 ICP、CCP、干法去胶设备、高选择性刻蚀设备和 Bevel 刻蚀设备的全系列产品布局。公司的 CCP 设备在 8 英寸产线的硅刻蚀、介质刻蚀应用中已占据主导地位，在 12 英寸产线也成功应用于硬掩模刻蚀、铝垫刻蚀等步骤。2025 年上半年，公司刻蚀设备收入超 50 亿元人民币。

我们预测公司25-27 年归母净利润分别为70.4、102.6、130.5 亿元（原25-26 年预测为74.9、96.4 亿元，主要调整了营业收入和毛利率），根据可比公司26 年平均51倍PE 估值，给予 721.65 元目标价，维持买入评级。

风险提示

国际和国内竞争加剧，技术迭代风险，下游需求不及预期风险，宏观经济波动风险，政策变化风险，假设条件变化影响测算结果。