11月11日有投资者向晶盛机电(300316)提问：公司生产的SiC衬底材料，是否已通过下游HVDC或SST领域客户的认证？” · “SiC长晶设备在国内同类市场中占有率如何？是否有销售给主要的SiC功率器件厂商？” · “公司是否有直接或间接参与国家关于SST或新型电力系统的研发项目？

11月17日公司回答表示：尊敬的投资者，您好。碳化硅是第三代半导体材料的核心代表。导电型碳化硅材料制成的功率器件能够更好地适应高压、高温工作环境，在新能源汽车电驱系统、高压充电设施、储能及轨道交通等高压大功率场景具有极大的应用潜力。半绝缘型碳化硅则凭借低载流子浓度与优异的微波损耗特性，成为5G/6G基站射频前端器件的核心衬底材料，同时由于具备优异的光学和热学特性，在AR眼镜、散热等终端应用领域有着不可替代的优势。公司碳化硅衬底材料业务已实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产与销售，量产的碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平，8英寸碳化硅衬底技术和规模处于国内前列，公司积极推进碳化硅衬底在全球的客户验证，送样客户范围大幅提升，产品验证进展顺利，并成功获取部分国际客户批量订单。同时公司首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线。具体进展情况请关注公司后续的公开信息。感谢您的关注。