上证报中国证券网讯7月以来，机构调研A股半导体上市公司热度不减。据记者不完全统计，本月已有10家半导体沪企披露投资者关系活动记录。从调研热度看，澜起科技获262家机构调研，最受关注。东芯股份、乐鑫科技、金安国纪亦受到超30家机构关注。从调研内容看，机构重点关注涨价持续性、AI需求拉动、产能保障等议题。

存储涨价趋势成关注焦点

自2025年下半年起，全球存储芯片行业开启涨价周期。在2026年7月的机构调研中，存储芯片价格走势依然是关注焦点。

东芯股份在多场调研中被问及SLC NAND涨价趋势。公司方面表示，由于海外存储原厂逐步退出利基型市场，SLC NAND等中小容量存储产品产能持续收缩，叠加网络通信、工业控制、汽车电子等下游需求复苏，中小容量存储芯片的供需关系呈现结构性紧缺。对于下半年趋势，公司认为当前供给端缺口依然存在，行业研究机构亦预测本轮利基存储涨价周期有望延续。

受益于存储涨价周期，复旦微电在2026年半年度业绩预告中披露，二季度盈利情况将显著改善。公司在接受调研时表示，2026年二季度，工业级存储板块景气度较高，Nand Flash和Nor Flash产品量价齐升，推动公司营收和毛利率环比一季度均实现增长。

作为AIoT厂商，乐鑫科技在调研中被问及NAND Flash、DDR等存储器价格上涨给公司带来的影响。公司认为，存储器涨价带来的变化更多体现为产品结构和方案选择的调整。从市场角度看，存储器涨价可能推动部分终端产品重新评估硬件架构。举例而言，一些原本采用Linux搭配NAND Flash、DDR的方案，在成本上升后可能更倾向于采用RTOS搭配NOR Flash的轻量化方案，在满足功能需求的同时实现更优的成本控制。

中颖电子则认为，当前半导体行业呈现AI与非AI两极分化，近期的“缺货”现象实为AI带来的挤出效应，而非需求基本面变化。公司预计，非AI领域的增量市场不会出现爆发式增长，但会维持稳定。目前，公司针对部分客户适当调整价格，但竞争优势仍取决于产品迭代和差异化能力，而非价格手段。

AI发展需求驱动芯片产业链增长

AI产业趋势对芯片需求的拉动，在多家公司的调研中得到充分体现。

据芯原股份披露的订单增长数据，自2026年年初至7月16日，公司新签订单合计近150亿元，其中AI算力相关订单及数据处理领域订单占比均超90%，绝大部分为一站式芯片定制业务订单。公司表示，受益于AI产业高速发展，AI ASIC市场需求快速增长，公司依托AI处理器IP组合和AI ASIC定制服务能力，已成为这一趋势的关键赋能者。

业内分析，随着AI推理及Agent应用的快速发展，AI工作负载正从训练端向推理端及智能体迁移。澜起科技在接受调研时表示，这一转变对系统的逻辑判断、任务调度与实时交互能力提出更高要求，使得CPU的通用计算架构价值凸显。因此，AI服务器中CPU与GPU的配置比例预计将持续提升。

澜起科技判断，CPU需求的增加将推动内存模组用量增加，从而推动内存互连芯片市场规模扩大。此外，CPU在AI系统架构中重要性的提升，将同步带动其他与CPU相关的互连芯片需求，包括PCIe互连、CXL互连芯片等。受益于AI产业趋势，公司上半年业绩大幅增长，DDR5 RCD芯片出货量显著增加，互连类芯片MRCD/MDB、PCIe Retimer、CKD及CXLMXC芯片收入同步攀升。

复旦微电在7月16日的新品发布会上推出针对端侧AI的新产品。公司认为，随着Agent进一步发展，未来FPGA的定位有望从少数专家使用的利基加速器，转变为应用场景更为广泛的通用算力基础设施。

保供与扩产并举

多家公司在调研中披露了产能情况及后续规划。

产能保障方面，中颖电子表示，公司与两家头部晶圆厂签有长期产能协议，在当前产能趋紧环境下形成保障优势。芯原股份则采用晶圆厂中立策略，与全球主流晶圆厂保持长期合作，可通过打包方式拿到产能，并通过内部资源再分配为客户保障产能。

产能扩张方面，在上游材料领域，金安国纪披露现有覆铜板年产能6000万张，宁国金安和杭州国纪两大项目预计于2026年下半年投产，将分别新增1600万张/年和1200万张/年产能，后续珠海项目还将新建年产2000万张覆铜板产能。除覆铜板外，公司电子玻纤布现有产能约为1.6亿米/年，安徽宁国年产6000万米电子级玻纤布扩建项目计划于2026年下半年投产。

电子化学品环节，安集科技位于上海金桥、宁波北仑的两大生产基地扩建工程有序开展，多条新建产线已顺利投产;上海化学工业区电子化学品专区制造基地主体建筑已封顶，将为下一阶段生产提供保障。

封测与设计端，艾为电子上海临港车规级测试中心已于6月正式投产。公司表示，项目满产后将具备300至500亿颗的年检测能力，不仅可以满足公司内部的芯片检测需求，还具备承接国内新能源车企、智能座舱配套企业本土化测试需求的能力，为公司深化汽车电子产业链布局提供支撑。

晶丰明源自研的第一代40V BCD工艺平台高性能计算电源芯片已实现大批量量产，基于自研第二代40V BCD工艺平台设计的DrMOS产品已开始批量生产。目前，公司正在推进第三代40V BCD工艺研发，基于该工艺平台的芯片预计将在2026年实现量产。封装技术方面，公司独占封装EHSOP12已进入量产阶段，EMSOP封装技术也在导入量产。