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民德电子:2026年9月23日投资者关系活动记录表

巨潮资讯网 09-24 00:00 查看全文

证券代码:300656 证券简称:民德电子

深圳市民德电子科技股份有限公司投资者关系活动记录表

编号:2026-09

?特定对象调研 □分析师会议

投资者关系活动

类别 □媒体采访 □业绩说明会

□新闻发布会 □路演活动

□现场参观 □其他:券商策略会

银华基金、信达澳亚基金、盛熙基金、华夏基金、博普资产、捷创资本、清淙投资、国参与单位名称

海证券、财通证券、天风证券、东财证券、浙商证券

时间 2026年 9月 20日—9月 23日

地点 浙江丽水,广芯微电子会议室;深圳,公司会议室董事长:许文焕

广芯微电子、广微集成总经理:谢刚上市公司接待

董事:高健人员姓名

董事会秘书:陈国兵

证券事务代表:杨佳睿

1、今年以来,海外及国内部分功率半导体企业的产品价格不断上涨,公司相关产

品是否有调价安排?

答:公司主要根据市场情况,随行就市调整价格。公司控股的晶圆代工厂广芯微电子于 2026 年 6月开始对代工价格进行上调,涨价幅度在 10~20%。公司控股的功率半导体设计公司广微集成于 2026年 7月开始对产品报价进行上调,涨价幅度在 15-20%。

投资者关系活动 近期,上游硅片厂商开始新一轮调价,公司参股的晶圆原材料企业晶睿电子今年 7主要内容介绍 月起外延片等产品价格上涨约 15%,并于本月再次发布调价函,自 10 月 1日起价格再上调约 10%。广芯微电子也陆续收到上游原材料供应商的涨价通知。广芯微电子和广微集成也将根据上游具体涨价情况、市场需求以及与客户沟通等情况,来确认对产品价格进行调整,不同品类产品涨价幅度会有差别,高压/特色产品涨幅较大,通用产品涨幅较小。2、广芯微电子已量产产品有哪些,工艺平台有什么特点?答:广芯微电子项目自 2024 年投产以来,完成了包括 MOS场效应二极管(MFER)、垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)、瞬态电压抑制二极管(TVS)、

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)等工艺平台的搭建,其中MFER、VDMOS和 TVS等产品已实现规模化量产,面向工业、能源等领域的特高压电源产品平均良率超 95%,消费类电源及电机驱动产品平均良率达 98%以上;与 IC 合封的 VDMOS产品已经验证通过,开始量产;IGBT 和 700V 高压 BCD 已处于客户流片及导入阶段,已具备量产能力。

广芯微电子已搭建了国内较为高端的 6英寸特色工艺平台,其中的深沟槽刻蚀设备、

1.2MeV 的高温离子注入机等设备,属于业内顶尖的设备,是国内为数不多的可以生产

特高压 VDMOS、700V 高压 BCD 等产品的企业,且广芯微电子已量产产品的良率已经做到业界较高水准。

3、广芯微电子扩产进度情况如何?

答:广芯微电子近期通过股权融资、银行固定资产贷款等方式筹集资金,部分用于扩产设备购置。截至本公告披露日,广芯微电子已与多家设备供应商签署采购协议,其中扩产至 6万片/月所需设备已分批陆续到厂并进入调试阶段;扩产至 10万片/月所需部分设备,已与多家供应商确认,相关审批工作正加快推进。广芯微电子产能预计会在今年四季度开始逐步释放。

风险提示:本记录表如有涉及对外部环境判断、公司发展战略、未来计划等方面的前瞻

性陈述内容,均不构成本公司对投资者的实质承诺,敬请广大投资者理性投资,注意投资风险。

附件清单(如有) 无

日期 2026-09-23

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