11月24日有投资者向国林科技(300786)提问：公司在半导体臭氧设备领域里的竞争对手天津奥尔斯曼宣称其半导体臭氧设备为存储芯片定制化生产，因存储芯片3D NAND堆叠层数从128层升级至232层，要求氧化工艺稳定性提升，需要部署臭氧浓度波动率<±0.8%的高稳定设备。请问贵司的产品是否具备满足3d nand堆叠存储芯片的高稳定氧化臭氧设备？

11月27日公司回答表示：尊敬的投资者，您好。国林半导体所研制臭氧发生器以及各类功能水设备可以满足应用在存储芯片领域，且浓度稳定性高于上述指标，具体产品介绍请关注公司官网及定期报告。感谢您的关注。