【风口掘金】存储超级周期爆发！三星、海力士将涨价30% 紧缺将持续到明年！

导语：三星、SK海力士超预期涨价30%，客户开启囤货模式

①10月23日，据《韩国经济日报》报道，三星电子、SK海力士等主要内存供应商，将在今年第四季度继续向客户调整报价。幅度上，包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30%，从而顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。

②受存储涨价消息影响，10月23日美股存储概念股大涨。传统存储芯片紧缺+国内高端存储芯片追赶，国内厂商将受益。

一、短期事件驱动：存储紧缺直到明年，客户开启囤货模式

1、10月23日，韩国存储厂商的涨价幅度高于预期，再度引爆市场。

早在9月下旬，三星电子便已发出第四季度提价通知，当时的计划是将部分DRAM价格上调15%至30%，NAND闪存价格上调5%至10%。而回到当下，根据花旗集团和摩根士丹利在其半导体行业分析报告中所预测，第四季度DRAM平均售价将上涨25-26%，比上一季度上涨10%以上，涨价热潮或进一步加剧。

另据《朝鲜日报》报道，由于担心DRAM短缺，几家领先的国际电子和服务器公司正在囤积内存，并与三星和SK海力士洽谈签订2至3年长期供应协议，与以往按季度或年度签订合同的传统形成鲜明对照。

点评：市场预料到会涨价，但是没料到会涨这么多。随着原厂利基DRAM年内产能已经售罄，国内成熟制程DRAM供应商有望获得更大市场空间。叠加供应端原厂产能切换的不可逆趋势，本轮DRAM涨价行情具有较强持续性，预计会贯穿全年。

2、全球存储芯片涨价的背后，是原厂加大投入到HBM竞争并减少利基DRAM产能。

美光公司首席商务官表示，DRAM价格上涨部分原因是供应紧张，而这一趋势很大程度上是由HBM需求激增推动的，因为HBM消耗的晶圆容量是标准DRAM的三倍多。而根据摩根士丹利预测，今年包括谷歌、亚马逊、Meta、微软在内的科技巨头，将在人工智能基础设施上投入4000亿美元。

受AI和高性能计算需求的爆发的影响，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储）需求激增。三星、SK海力士、美光三大高端存储芯片原厂由于AI HBM业务火爆，全年产能已经售罄，正在停产旧制程DRAM产品，导致市场紧缺，价格上涨。

点评：由于能够打破内存墙瓶颈，HBM已成为DRAM市场增长主要驱动力。HBM解决带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制等问题，已成为当下人工智能芯片的主流选择。当前国产HBM处于发展早期，上游设备材料或迎来扩产机遇。

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二、长期行业透视：AI算力军备竞赛，使存储行业长期处于“超级周期”

1、投资逻辑：AI时代，存算一体新趋势

①周期反转：TrendForce预计25Q4 eSSD合约价上涨5-10%，后续数据中心eSSD涨价幅度有望超市场预期，2026年大容量QLC SSD有望出现爆发性增长。

②算力提升存力需求：AI推理拉动存储容量和带宽要求，AI算力芯片在内存、显存、硬盘均比普通服务器要求更高，BATZ、运营商资本开支规模递增，AI应用加速存力需求。

2、行业空间：全球存储芯片市场规模3500亿美元

①全球：乐观预测存储芯片市场规模3500亿美元；部分机构认为数据中心、AI及物联网需求爆发将推动市场高速增长，年复合增长率达7%；中性预测2300-2340亿美元，Yole Group、TrendForce等机构基于DRAM和NAND细分市场数据，预测其中DRAM占1370亿美元，NAND占830亿美元；保守预测1500亿美元。

②中国：预计2025年中国存储市场规模1200-1300亿美金，2026年中国存储市场规模1400-1500亿美金（年增速15-18%），数据中心需求占比超40%，从细分产品类型看DRAM中的DDR4（第五代）占比已达到90%，DDR3占比约9%；NAND中3D占比超90%，大容量的QLC（4bit）占比约30%并逐步提升。市场构成中，服务器占比约30% - 36%，手机 30% - 37%，PC 10% - 26%，其他（汽车和物联网等） 20% - 30%。

③HBM：根据TrendForce测算，2022-2026年HBM市场规模将从43亿美元提升至149亿美元，CAGR：37%。