证券代码：301413证券简称：安培龙公告编号：2025-059

深圳安培龙科技股份有限公司

关于公司获得发明专利证书的公告

本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

深圳安培龙科技股份有限公司（以下简称“公司”）于近日收到国家知识产

权局颁发的1项《发明专利证书》，现将本次取得的发明专利具体情况公告如下：

一、发明专利1：

发明专利名称：基于 SOI 的低零漂压力芯片高效制备方法及系统

专利号：ZL 2025 1 0736419.1

专利权人：深圳安培龙科技股份有限公司

专利申请日：2025年06月04日

授权公告日：2025年08月15日

专利权期限：本专利的专利权期限为20年。

本发明提供一种基于 SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘体上硅）的低零漂压力芯片高效制备方法及系统，分析现有制备材料对应的材料性能参数，从预设材料库中筛选出现有制备材料对应的协同制备材料；对压力芯片进行有限元仿真处理，得到压力芯片仿真模型，计算压力芯片仿真模型对应的结构挠曲度；配置压力芯片的模拟环境条件，计算压力芯片仿真模型对应的零点漂移离散度；计算出压力芯片仿真模型对应的芯片温漂系数；从协同制备材料和现有制备材料中确

定压力芯片对应的高效制备材料，对芯片制备路径进行参数优化，得到低零漂制备路径，执行对压力芯片的制备处理，得到芯片成品。本发明可以提高 SOI 的低零漂压力芯片的制备效率，应用于机器人、汽车、工业、航空航天等各种需要测量压力和力传感器的领域。

本项发明专利涉及公司自主研发的一种基于 SOI 的低零漂压力芯片的创新

型核心制备技术，该技术目前尚未量产，短期内不会对公司的经营业绩构成重大影响，未来将陆续在公司相关业务中应用。本次有利于公司发挥产品的自主知识—1—产权及技术创新优势，对提升了企业核心竞争力、促进市场拓展及研发创新等方面都具有重要意义。

敬请广大投资者理性投资，注意投资风险。

特此公告。

深圳安培龙科技股份有限公司董事会

2025年8月18日

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