上证报中国证券网讯记者6月7日从天岳先进获悉，在日前举行的第31届半导体年度奖颁奖典礼上，天岳先进凭借全球首发的12英寸(300mm)碳化硅衬底技术，获“半导体电子材料”金奖，实现中国企业在该国际奖项上零的突破。

碳化硅是第三代半导体核心基础材料，大尺寸衬底制备技术曾被国际垄断。天岳先进通过技术攻坚，实现从8英寸量产到全球首发12英寸技术的跨越。日本富士经济数据显示，2024年天岳先进在全球碳化硅衬底市场份额达22.8%，位居全球第一梯队。

半导体年度奖是由日本《电子器件产业新闻》主办的国际半导体领域的权威奖项。该奖项从技术创新性、社会影响力及未来发展潜力三大维度，在全球半导体产业设备、器件及电子材料领域开展严格评选。