上证报中国证券网讯9月28日晚间，长鑫科技发布公告，拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目。同时，公司拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司(以下简称“长鑫产品合肥”)提供超募资金50亿元，由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品(合肥)有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。

具体来看，技术研发项目总投资241亿元，拟使用超募资金130亿元，建设周期30个月;实施地点位于安徽省合肥经济技术开发区新桥科技创新示范区长鑫12英寸存储器晶圆制造基地内。

长鑫存储产品(合肥)有限公司储存器晶圆后道测试基地二期项目总投资108亿元，拟使用超募资金50亿元，建设周期37个月;项目内容为建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。

长鑫科技表示，公司于9月28日召开第二届董事会第六次会议，审议通过了《关于使用部分超募资金投资建设新项目的议案》。保荐机构对本事项出具了明确无异议的核查意见。该议案尚需提交公司股东会审议。

公告显示，长鑫科技首次公开发行A股募集资金总额666.07亿元，扣除发行费用后募集资金净额为663.1亿元，超募资金金额为368.1亿元。

关于此次拟投建项目的必要性，公司认为，技术研发项目建设有望加速公司技术和产品迭代升级，满足下游应用需求与技术范式转变;长鑫存储产品(合肥)有限公司储存器晶圆后道测试基地二期项目建成将保障后道测试产能，提升运营效率，降低测试成本，完善IDM模式。

公司称，技术研发项目为研发项目，不单独进行投资回报测算，最终产生的经济利益通过技术赋能公司主营产品体现。长鑫存储产品(合肥)有限公司储存器晶圆后道测试基地二期项目经测算，内部收益率及总投资收益率均处于合理区间，经济效益良好，有利于公司进一步完善IDM运营模式，实现从前道至后道的产业链整合。

9月28日，长鑫科技收盘报53.8元/股，当日跌4.27%，总市值3.65万亿元，位列A股第一。