《科创板日报》9月14日讯 算力、运力，以及存力，被视作AI基础设施建设的三驾马车。随着AI、数据中心等场景需求快速成长，存力或将接棒算力，成为AI基建体系中的又一关键变量。

近日消息，英伟达与日本存储大厂铠侠正合作开发一款为AI服务器量身定制的SSD，旨在部分取代作为GPU内存扩展器的HBM。资料显示，这款SSD性能将达到 1亿IOPS（每秒输入输出），其数据读取速度或比传统产品快近100倍。

按照英伟达的要求，数据读取速度需达到2亿IOPS才能符合对计算效率的期望，故铠侠计划在每个算力单位上安装两块SSD。值得一提的是，传统SSD一般通过CPU连接到GPU，而上述SSD或将直接连接到GPU进行数据交换，并兼容PCIe 7.0接口标准。

据悉，这款SSD将于2026年下半年开始进行送样，并于2027年实现商业化。

从传输速度到连接方式，不难发现存储演进趋势与人工智能发展息息相关。铠侠表示，到2029年，预计近一半的NAND需求将与AI相关。就在日前，另一存储巨头SK海力士宣布，为满足具备AI功能的智能手机需求，已开始供应一项全新的NAND解决方案。

更直观的信号在于，AI需求的指数级增长已然传导至存储价格本身。有消息称，美光已通知客户称DDR4、DDR5等产品价格或将调涨20%-30%。闪迪则于上周宣布对全部渠道通路产品价格执行10%普涨，公司表示，在AI应用和数据中心等出现日益增长的存储需求的背景下，NAND闪存产品需求强劲，未来将定期进行价格评估。

与此同时，各存储厂商营收亦受到影响。根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第二季英伟达Blackwell平台规模化出货，以及北美CSP业者持续扩大布局通用型服务器，均带动Enterprise SSD（企业级固态硬盘）需求显著成长，前五大品牌厂营收合计逾51亿美元，季增12.7%。

DRAM方面，2025年第二季DRAM产业因一般型DRAM合约价上涨、出货量显著增长，加上HBM出货规模扩张，整体营收为316.3亿美元，季增17.1%。

国泰海通指出，随着运算速度的提升，DRAM及NAND在各类AI延伸应用，如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长，又以服务器领域成长幅度最高。伴随AI服务器需求持续增加，AI高端芯片如英伟达下一代Rubin及云端服务业者自研ASIC陆续推出或开始量产，有助于高速运算的DRAM产品量价齐升。

CFM闪存市场最新报告显示，预计包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情，为明年春季行情走势奠定基调。此次涨价主要聚焦在企业级和手机市场上，预计Q4企业级存储价格将实现个位数涨幅，手机嵌入式存储价格也将小幅上扬。

投资方面，东方证券表示，存储行情景气度持续，国内先进存储产能持续扩充，AI服务器和AI终端，有望持续带动存储需求增长。