《科创板日报》9月11日讯 当地时间周三，Wolfspeed宣布，其200毫米碳化硅材料产品组合开启大规模商用。此前，公司在初步向部分客户提供200毫米碳化硅产品之后，市场反响积极。

Wolfspeed 同时还提供可立即进行认证的200毫米碳化硅外延片。

公司首席商务官Cengiz Balkas表示：“Wolfspeed的200毫米碳化硅晶圆不仅仅是尺寸的扩展，更是一项材料创新。”其指出，200毫米碳化硅晶圆在350微米厚度下具有改进的参数规格，并增强了掺杂和厚度均匀性。这些改进旨在帮助设备制造商提高MOSFET产量并加速产品上市时间。

此前Wolfspeed曾在5月深陷破产漩涡。彼时公司由于一直无法解决债务危机，将在数周内申请破产。其拒绝了债权人提出的多项庭外债务重组方案，计划申请第11章破产保护，这一申请也得到其大多数债权人的支持。

不过在当地时间9月8日，Wolfspeed宣布，公司重组计划已获得法院批准，预计将在未来数周内完成重整程序。一旦完成重整程序，Wolfspeed将减少约70%债务，使公司能够更好地执行其战略优先事项，并持续专注于创新。

除了工业、新能源等应用领域之外，AI行业也正在将目光投向碳化硅，有望为碳化硅带来新增量市场。

9月5日有消息称，为提升性能，英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅。目前台积电邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术，英伟达第一代Rubin GPU仍会采用硅中间基板。但由于英伟达对性能进步的要求极高，当芯片内产生的热超过极限，就必须采用碳化硅，最晚2027年，碳化硅就会进入先进封装。

东吴证券指出，以当前英伟达H1003倍光罩的2,500mm2中介层为例，假设12英寸碳化硅晶圆可生产21个3倍光罩尺寸的中介层，2024年出货的160万张H100若未来替换成碳化硅中介层，则对应76,190张衬底需求。台积电预计2027年推出7×光罩CoWoS来集成更多处理&存储器，中介层面积增至1.44万mm2，对应更多衬底需求。

单晶碳化硅作为一种具有高导热性的半导体，数据显示其热导率达到490W/m•K，比硅高出2–3倍。东方证券认为，基于碳化硅晶体优异的导热性能，其在散热要求更高的环境中具有一定应用潜力，有望在中介层、散热基板等环节应用，相关厂商有望受益，建议关注天岳先进、三安光电。