【丰田将在其车载充电系统采用Wolfspeed碳化硅器件】财联社12月11日电，Wolfspeed公司当地时间12月9日宣布与丰田公司达成合作，丰田公司将在其车载充电系统采用Wolfspeed车规级MOSFET，Wolfspeed碳化硅器件将被集成到丰田公司的纯电动汽车中。

【江苏“十五五”规划建议：推动量子科技、脑机接口、具身智能等一批前沿性未来产业形成现实生产力】财联社12月11日电，中共江苏省委关于制定江苏省国民经济和社会发展第十五个五年规划的建议发布，其中提到，培育壮大未来产业。探索多元技术路线、典型应用场景、可行商业模式、市场监管规则，加快壮大第三代半导体、氢能、生物制造等成长型未来产业，推动量子科技、脑机接口、具身智能、深海深地、原子级制造、第六代移动通信等一批前沿性未来产业形成现实生产力。创新监管方式，发展创业投资，建立健全未来产业投入增长和风险分担机

【盘前题材挖掘】①北京将建全球首个国家人形机器人赛训基地，人形机器人产业化持续加速。②一年可为超大型AI算力中心省3亿度电，第三代半导体有望迎来需求爆发。③全球AI算力爆发带动燃气轮机需求激增，国内企业有望受益于外溢需求。

①氮化镓是第三代半导体材料。若把硅基氮化镓芯片装入电源模块中，替代传统电源模块芯片使用的硅材料，可实现用电损耗降低30%。 ②华创证券表示，传统硅基材料已接近工艺极限，高效能需求驱动氮化镓等第三代半导体高速增长。

【九峰山实验室发布氮化镓电源模块最新成果 一年可为超大型AI算力中心省3亿度电】《科创板日报》4日讯，九峰山实验室发布氮化镓电源模块最新成果。100万个该模块装入一座容量1吉瓦（10亿瓦）的超大型AI算力中心机柜里，一年可省近3亿度电，约合2.4亿元电费。团队负责人李思超博士说，该成果目前已完成概念验证，即将开始中试验证，预计3-5年内量产，届时可满足千亿级市场需求。

【英诺赛科胜诉 两项核心GaN专利获国家知识产权局维持有效】财联社11月19日电，根据中国国家知识产权局最新审查决定，全球氮化镓龙头英诺赛科（Innoscience）今日正式获得关于其两项核心氮化镓（GaN）专利有效性的胜利结果，该决定明确维持英诺赛科专利权利要求全面有效，驳回了英飞凌（Infineon）提出的无效请求。英飞凌在此案上彻底败诉。据悉，英诺赛科已于今年早些时候对英飞凌发起了基于该两项专利的专利侵权诉讼。

【半导体龙头烁科晶体增资 国家军民融合产业投资基金、建信投资等斥资8亿入股】财联社11月17日电，财联社记者11月17日自北京产权交易所获悉，山西烁科晶体有限公司增资项目成交，增资方为国家军民融合产业投资基金二期有限责任公司、国调二期协同发展基金股份有限公司、建信金融资产投资有限公司，投资金额分别为5亿元、2亿元和1亿元。烁科晶体成立于2018年10月，是国内从事第三代半导体材料碳化硅生产和研发的领军企业。（记者 赵毅波）

【SK keyfoundry计划明年上半年启动碳化硅功率半导体代工业务】财联社11月12日电，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布，正加速开发碳化硅（SiC）化合物功率半导体技术。该公司近期已完成对碳化硅领域关键企业SK powertech的收购。SK keyfoundry表示，正加速推进技术开发，目标在2025年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工艺技术，并于2026年上半年启动碳化硅功率半导体代工业务。

【盘前题材挖掘】①特斯拉筹备扩建机器人超级工厂，相关零部件环节有望持续受益。②国内首次！脑机接口产品进入审批“绿色通道”，行业或进入爆发前夜。③第三代半导体突破供电瓶颈，有望在AI数据中心领域广泛应用。

①目前头部厂商正在持续推动SiC/GaN在AI数据中心领域应用。 ②东方证券指出，展望未来，在AI服务器及数据中心的大功率供电需求不断提升的趋势下，SiC/GaN有望得到更广泛的应用。

【安森美推出垂直氮化镓功率半导体】财联社10月31日电，安森美（onsemi）宣布推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体。据介绍，对于超高压器件，安森美的垂直氮化镓（vGaN）采用GaN-on-GaN技术，使电流能够垂直流过芯片，而不是沿表面横向流动。，这一方案降低能量损耗和热量，损耗减少近50%。目前安森美向早期客户提供700V和1200V器件样品。

①梳理近一个月机构来访接待量超70家的上市公司名单（附表）。容百科技、精智达、当升科技位列前三； ②固态电池概念股容百科技、当升科技，以及精智达、帝科股份、汉钟精机、聚灿光电、闻泰科技等半导体芯片相关概念股均“榜上有名”。

【晶盛机电：首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线】财联社9月26日电，据晶盛机电官微消息，9月26日，首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，浙江晶瑞SuperSiC实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化。

①此前，公司在初步向部分客户提供200毫米碳化硅产品之后，市场反响积极。 ②当地时间9月8日，Wolfspeed宣布，公司重组计划已获得法院批准，预计将在未来数周内完成重整程序。 ③英伟达计划在新一代Rubin处理器中，把CoWoS中间基板材料换成碳化硅。

【Wolfspeed宣布200mm碳化硅材料产品组合开启大规模商用】财联社9月11日电，全球碳化硅厂商Wolfspeed公司宣布，公司200mm碳化硅材料产品开启大规模商用。此前，公司在初步向部分客户提供200mm碳化硅产品之后，市场反响积极且效益显著。

【天科合达：年初即实现导电型SiC衬底累计百万片级的出货突破】财联社9月6日电，据天科合达官方消息称，公司2025年初即实现导电型SiC衬底累计百万片级的出货突破，另外在“上车”应用方面也不断取得突破进展，公司正成为推动Si基功率芯片升级为SiC功率芯片，实现主驱规模化替代的重要力量。在实现碳化硅衬底规模化量产的基础上，充分发挥技术整合优势，成功实现6英寸650V、1200V及1700V等多电压等级碳化硅外延片的规模化供应，并已获得多家国内外头部企业8英寸外延中小批量订单。

【碳化硅概念持续走强 天岳先进等多股涨停】财联社9月5日电，午后碳化硅概念持续走强，天岳先进、科创新材涨停，此前露笑科技、天通股份、中恒电气涨停，晶盛机电、三安光电、天富能源、东尼电子涨幅靠前。消息面上，为提升性能，英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅（SiC）。

【消息称英伟达拟将Rubin处理器CoWoS中间基板材料替换为碳化硅 台积电正推进相关研发】《科创板日报》5日讯，为提升性能，英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅（SiC）。目前台积电邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术，英伟达第一代Rubin GPU仍会采用硅中间基板。但由于英伟达对性能进步的要求极高，当芯片内产生的热超过极限，就必须采用碳化硅，最晚2027年，碳化硅就会进入先进封装。

财联社8月22日电，东芝与SICC将探索碳化硅（SiC）功率芯片合作。

【深圳市在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破】财联社8月13日电，记者昨日从市国资委了解到，由市属国企深重投集团与市科技创新局联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（简称“国创中心”）在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展。该国创中心在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延，能显著降低氮化镓外延材料的缺陷密度，大幅提升散热性能，各项指标均达到国际领先水平，有望从根本上解决其可靠性问题。这一成果打破了大尺寸氮化镓与碳化硅材料单片集成的技术瓶

①英诺赛科回应与英伟达合作仍处测试阶段，细节有何看点？ ②公司股价盘中涨逾60%后大幅回落，短期影响有多大？

财联社7月3日电，台积电据称两年内将退出氮化镓业务。

【厦门最大碳化硅项目首台设备提前搬入】《科创板日报》2日讯，据中建三局一公司，近日，该公司承建的厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）首台设备提前搬入。该项目是2025年福建省及厦门市重点建设项目也是厦门最大的碳化硅项目。

【纳微半导体将采用力积电0.18微米制程生产GaN产品】《科创板日报》2日讯，纳微半导体（Navitas）今日宣布，与力积电建立战略合作伙伴关系，将采用力积电8寸0.18微米制程生产氮化镓（GaN）产品。

【台积电或将停产GaN 产线转做先进封装】《科创板日报》2日讯，消息称，台积电为专注在高成长市场，近期已陆续缩减在成熟制程的资源，并有意淡出氮化镓（GaN）市场，GaN产品所在的晶圆五厂仅供应至2027年7月1日，之后将改做先进封装使用。

【香港首座8英寸碳化硅晶圆厂获批】《科创板日报》30日讯，香港特区政府创新科技及工业局辖下的创新科技署宣布，杰立方半导体（香港）有限公司提交的“新型工业加速计划”申请已获评审委员会支持。该项目计划在香港兴建一座第三代半导体碳化硅（SiC）晶圆生产设施。

【盘前题材挖掘】①特斯拉启动Robotaxi试运营，机构称Robotaxi商业化奇点已至。②头部企业中试样品陆续落地，固态电池板块有望迎来密集催化。③AI数据中心+AR眼镜驱动，碳化硅行业有望快速增长。

光大证券指出，随着AI数据中心、AR眼镜等行业的增长，碳化硅行业将随之快速增长。国内碳化硅衬底企业持续投资扩张产能，有望持续扩大市场份额。

【全国最大碳化硅晶圆厂在武汉投产】财联社5月29日电，据“湖北发布”，长飞先进武汉基地首批碳化硅晶圆日前正式投产，这是目前国内规模最大的碳化硅半导体基地，可贡献国产碳化硅晶圆产能的30%，有望破解我国新能源产业缺芯困局。碳化硅是新一代信息技术的基础材料，被称为新能源时代的“技术心脏”，是全球争相抢占的科技制高点。这座总投资超200亿元的半导体超级工厂，一期项目聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，可年产36万片6英寸碳化硅晶圆，产能跻身全球前列，达产后可满足144万辆新能源汽车的制造需求，推动我国

①英伟达重磅合作“点金”第三代半导体概念，市场为何关注？ ②港股氮化镓龙头放量大涨逾14%，公司核心业务有何看点？