《科创板日报》7月22日讯（编辑 宋子乔）国产碳化硅（SiC）衬底有了新突破。

天岳先进昨晚公告，近日与某客户签订了一份长期协议，约定2023年至2025年公司及上海天岳向合同对方销售6英寸导电型碳化硅衬底产品，预计含税销售三年合计金额为人民币13.93亿元。

这一金额是该公司去年总营收的2.8倍，2021年天岳先进营收为4.94亿元。

天岳先进历年营收

从细分产品来看，天岳先进是全球半绝缘型碳化硅衬底龙头（2020年半绝缘型碳化硅衬底全球市占率30%），其产品主要为4英寸半绝缘型碳化硅衬底，主要应用于5G通讯、国防等领域。

相比半绝缘型衬底，导电型碳化硅衬底在新能源汽车、光伏等领域未来需求空间更大，国产化率也更低，因此公司IPO募资20亿元建设6英寸导电型碳化硅衬底项目，发力导电型碳化硅衬底。该项目将于2022年试生产，预计2026年实现全面达产。

6月份，天岳先进共获67家机构调研，该公司透露，其提供的导电型衬底基本都是满足MOSFET参数标准的。MOSFET器件在工业领域和新能源汽车领域都有非常广泛的应用场景，公司目前已经获得IATF16949车规体系认证，下游客户的送样反馈结果也非常积极。

放眼碳化硅衬底的全球竞争格局，目前海外厂商掌握话语权，国内企业市场份额较小。半绝缘市场中，贰陆公司（II-IV）、科锐（Wolfspeed）以及天岳先进三家占据主要份额；导电型市场中，科锐为绝对龙头。

随着碳化硅需求趋势明确，国内产业链正加速布局，天岳先进是该趋势的缩影。浙商证券此前表示，可观测到，国内外差距正在缩小、且整体差距小于传统硅基半导体。国内外差距已从过去的10-15年（4英寸）、缩小至5-10年以内（6英寸）。预计未来向8英寸进军过程中，差距有望进一步缩小。